Performances de pointe pour les charges de travail intensives

Conçu pour les charges de travail intensives, le SSD Lexar NM620 M.2 2280 PCIe Gen3x4 NVMe offre des performances exceptionnelles, vous propulsant dans l'ère du calcul haute vitesse avec des vitesses de lecture atteignant 3 500 Mo/s et d'écriture 3 000 Mo/s¹. Il est compatible avec la norme technologique PCIe Gen3x4 NVMe 1.4 et intègre la toute dernière mémoire flash 3D NAND.

Idéal pour les applications créatives et les jeux vidéo exigeants.

Avec des vitesses de lecture allant jusqu'à 3 500 Mo/s, profitez d'une vitesse 6 fois supérieure à celle des SSD SATA³. Le NM620 vous propulse dans l'univers de l'informatique ultra-rapide et offre des performances exceptionnelles pour les stations de travail créatives exigeantes et les expériences de jeu immersives.

Utilise la technologie LDPC pour une fiabilité accrue

La technologie LDPC (Low-Density Parity Check) rend les transferts de données plus fiables que jamais en corrigeant les erreurs de données avant qu'elles n'aient la possibilité de vous ralentir.

Conçu pour durer

Contrairement aux disques durs traditionnels, le SSD NM620 ne comporte aucune pièce mobile, ce qui lui confère une grande longévité. De plus, sa résistance aux chocs et aux vibrations² en fait un SSD robuste et fiable.

Efficace

La consommation d'énergie réduite et le fonctionnement à une température plus basse permettent une autonomie supérieure à celle d'un disque dur traditionnel.

Testés rigoureusement

Tous les produits Lexar sont soumis à des tests approfondis dans les laboratoires de qualité Lexar, équipés de milliers d'appareils photo et numériques différents, afin de garantir leurs performances, leur qualité, leur compatibilité et leur fiabilité.

 Spécifications

Format
M.2 2280

Interface
PCIe Gen3 x4

Performances
512 Go - Lecture séquentielle jusqu'à 3 500 Mo/s, écriture jusqu'à 2 400 Mo/s
IOPS : jusqu'à 200/256 000
1 To - Lecture séquentielle jusqu'à 3 500 Mo/s, écriture jusqu'à 3 000 Mo/s
IOPS : jusqu'à 300/256 000
2 To - Lecture séquentielle jusqu'à 3 500 Mo/s, écriture jusqu'à 3 000 Mo/s
IOPS : jusqu'à 300/256 000
Température de fonctionnement
0 °C à 70 °C (32 °F à 158 °F)
Température de stockage
-40 °C à 85 °C (-40 °F à 185 °F)
Dimensions (L x l x H)

80 mm x 22 mm x  2,25 mm / 3,15” x 0,87” x 0,09”
Poids
9 g
Garantie
Garantie limitée de 5 ans
Résistance aux chocs
1 500 G, durée 0,5 ms, demi-sinusoïde
Résistance aux vibrations
10~2 000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 oct./min, 30 min/axe (X, Y, Z)
TBW
2 To : 1 000 To, 1 To : 500 To, 512 Go : 250 To, 256 Go : 125 To
DWPD
1 To : 0,44 Mo/s, 512 Go : 0,44 Mo/s, 256 Go : 0,44 Mo/s
Mémoire flash NAND
3D TLC
MTBF
1 500 000 heures
1 Vitesse de lecture jusqu’à 3 500 Mo/s, vitesse d’écriture inférieure. Vitesses basées sur des tests internes.  Les performances réelles peuvent varier.

2. Résistance aux chocs (1 500 G, durée 0,5 ms, demi-sinusoïde) et aux vibrations (10 à 2 000 Hz, 1,5 mm, 20 G, 1 octave/min, 30 min/axe (X, Y, Z)). Tests internes. Les performances réelles peuvent varier.

3. Comparaison basée sur des tests internes. Les performances réelles peuvent varier.

[Remarque] :

Les mesures de sécurité, par nature, peuvent être contournées. Lexar ne garantit pas la sécurité absolue des données contre tout accès, modification ou destruction non autorisés.

La capacité de mémoire utilisable réelle peut varier. 1 Go équivaut à 1 milliard d’octets.

L’apparence, les performances, les logiciels inclus et l’emballage du produit peuvent varier selon la date d’expédition et les stocks disponibles.

Lexar décline toute responsabilité en cas de perte de données ou d’images.